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上海mems电容真空计 上海辰仪测量技术供应

上传时间:2025-12-28 浏览次数:
文章摘要:真空测量就是真空度的测量,而真空度是指低于大气压力的气体稀薄程度。以压力表示真空度是由于历史上沿用下来的,并不十分合理。压力高意味着真空度低;反之,压力低意味着真空度高。用以探测低压空间稀薄气体压力所用的仪器称为真空计。本书所述压

真空测量就是真空度的测量,而真空度是指低于大气压力的气体稀薄程度。以压力表示真空度是由于历史上沿用下来的,并不十分合理。压力高意味着真空度低;反之,压力低意味着真空度高。用以探测低压空间稀薄气体压力所用的仪器称为真空计。本书所述压力的测量是指比大气压力小得多的气体压力测量。压力是一个力学量,为单位面积所承受的力。大气压力为101325Pa,直接测量这样大的压力是容易的,但在真空技术中,测量这样大的压力是比较少的。真空技术中遇到的气体压力都很低,如有时要测10-10Pa的压力,这样极小的压力用直接测量单位面积所承受的力是不可能的。因此,测量真空度的办法通常是在气体中造成一定的物理现象,然后测量这个过程中与气体压力有关的某些物理量,再设法间接确定出真实压力来。例如先将被测气体压缩,使其压力增高,测出增高后的压力,再根据压缩比计算出原来的压力值,这就是所谓的压缩式真空计。也可以用一根热丝,测量气体热传导造成的某些结果,如热丝温度、电阻变化等,这就构成热传导真空计。还可以利用电子碰撞气体分子使之电离,用测得的离子流反应压力,这就是电离真空计。如何维护和保养电容真空计?上海mems电容真空计

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真空计的安装误差安装位置不当导致误差:①管路流导限制(需短而粗的连接管);②温度梯度(避免热源附近);③振动(机械泵需隔振);④方向性(某些薄膜规需水平安装)。规范要求测量点尽量靠近真空腔体,必要时使用差分测量消除管路效应。电离规安装角度应避免颗粒落入灯丝区域。10.真空计的气体种类影响不同气体热导率/电离效率差异***:皮拉尼计对H₂的灵敏度是N₂的7倍;电离规对Ar的灵敏度比He高30倍。实际应用中需输入气体修正因子(如SEMI标准E12-0305提供常见气体系数)。混合气体需质谱仪辅助分析,否则可能导致>50%的测量偏差。上海高质量真空计如果怀疑电容真空计出现故障,应及时进行检修或更换。

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利用带电粒子效用类真空计通过测量气体分子在电场或磁场中被荷能粒子碰撞电离后产生的离子流或电子流来推算真空度。典型**有热阴极电离规和冷阴极电离规。a)热阴极电离规通过加热阴极使其发射电子,进而与气体分子发生碰撞并电离。电离产生的离子流随压力变化,通过测量离子流的变化可以推算出真空中气体分子的密度,进而得到压力大小。热阴极电离规能够提供高精度的真空度测量,常用于科研和高精度工业领域。b)冷阴极电离规同热阴极一样,也是利用电离气体分子收集离子电流的原理,不同的是,冷阴极利用磁控放电电离气体分子产生离子。在测量过程中无需加热阴极,因此具有较低的能耗和更高的可靠性。它特别适用于需要长时间连续工作的场合,如大型科研设备和工业生产线。其测量精度和稳定性也相当出色。

四极质谱仪(残余气体分析仪)通过质荷比(m/z)分析气体成分,结合离子流强度定量分压。质量范围1~300amu,检测限10⁻¹²Pa。需配合电离规使用,用于真空系统污染诊断(如检出H₂O峰提示漏气)。动态模式可实时监控工艺气体(如半导体刻蚀中的CF₄),校准需使用NIST标准气体。8.真空计的校准方法分直接比较法(与标准规并联)和间接法(静态膨胀法、流量法)。国家计量院采用二级标准膨胀系统,不确定度<0.5%。现场校准常用便携式校准器(如压强生成器),覆盖1~10⁻⁶Pa。温度、振动和气体吸附效应是主要误差源,校准周期建议12个月。ISO3567规定校准需在恒温(23±1℃)无尘环境下进行。真空计的适用压力范围是?

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涡轮分子泵的工作原理是在电机的带动下,动叶轮高速旋转(动叶轮外缘的线速度高达气体分子热运动的速度,一般为150~400米/秒)。在分子流区域内,气体分子与高速转动的叶片表面碰撞,动量传递给气体分子,使部分气体分子在刚体表面运动方向上产生定向流动而被排出泵外,从而达到抽气的目的。启动快:涡轮分子泵能够在短时间内迅速启动,并达到稳定的抽气状态。抗射线照射:涡轮分子泵能够抵抗各种射线的照射,适用于高能加速器等辐射环境下的真空抽取。耐大气冲击:涡轮分子泵具有较强的耐大气冲击能力,能够在气压突变的环境中保持稳定的抽气性能。无气体存储和解吸效应:涡轮分子泵在工作过程中不会存储气体,也不会产生解吸效应,因此能够获得清洁的超高真空。无油蒸气污染:涡轮分子泵采用无油润滑系统,避免了油蒸气对真空环境的污染。什么是真空测量?真空如何测量?上海mems真空计生产厂家

真空测量的特点有哪些?上海mems电容真空计

真空泵的工作原理真空泵通过机械或物理方式移除气体分子。旋片泵通过旋转叶片压缩气体排出;涡轮分子泵利用高速叶片撞击气体分子;低温泵则通过冷却表面吸附气体。干泵无油污染,适合洁净环境;扩散泵通过油蒸气喷射带走气体,需配合冷阱使用。选择泵需考虑极限真空、抽速和气体类型。4. 真空在半导体制造中的应用芯片制造需10⁻⁷ Pa超高真空环境。光刻机通过真空避免空气散射紫外线;离子注入在真空中加速掺杂原子;分子束外延(MBE)逐层生长晶体。真空减少杂质污染,确保纳米级精度。一台EUV光刻机包含数十个真空腔室,真空稳定性直接影响5nm以下制程良率。上海mems电容真空计

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